型番 | RJH60D5BDPQ-E0#T2 |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 75 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 600 V |
Gate-emitter Thr Voltage-Max | 6 V |
Gate-emitter Voltage-Max | 30 V |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 200 W |
Sub Category | Insulated Gate BIP Transistors |
Surface Mount | NO |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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