RJH60D5BDPQ-E0#T2 データシート Renesas

RJH60D5BDPQ-E0#T2 - RENESAS の商品詳細ページです。

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RJH60D5BDPQ-E0#T2 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RJH60D5BDPQ-E0#T2
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 75 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Gate-emitter Thr Voltage-Max 6 V
Gate-emitter Voltage-Max 30 V
Operating Temperature-Max 150 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 200 W
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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