 
  
| 型番 | RJH60D1DPP-M0 | 
|---|---|
| メーカー | RENESAS | 
| カテゴリ | その他-トランジスタ | 
| データシート |  | 
| Case Connection | ISOLATED | 
| Collector Current-Max (IC) | 16 A | 
| Collector-emitter Voltage-Max | 600 V | 
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 
| Gate-emitter Voltage-Max | 30 V | 
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | 
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 20 W | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| Sub Category | Insulated Gate BIP Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | 
| Transistor Application | POWER CONTROL | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| Turn-off Time-Nom (toff) | 117 ns | 
| Turn-on Time-Nom (ton) | 43 ns | 
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 | 
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 | 
| 資本金 | 100億円 | 
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 | 
| URL | http://am.renesas.com/ | 
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