RJF0605JPD Renesas

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RJF0605JPD の詳細情報

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型番RJF0605JPD
メーカーRENESAS
カテゴリその他-汎用IC
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 20 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 40 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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