RD11E B1 - RENESAS の商品詳細ページです。

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RD11E B1
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定電圧ツェナーダイオード | ガラス封止DHD(Double Heatsink Diode)構造 | 50mW|電圧 MIN10.18~MAX10.63 Iz(mA) 10

RD11E B1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RD11E B1
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 10 ohm
JEDEC-95 Code DO-35
JESD-30 Code O-LALF-W2
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 10.4 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount NO
Technology ZENER
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Voltage Tol-Max 2.1 %
Working Test Current 10 mA
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

RD11E B1のレビュー

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