RD10EB2 - RENESAS の商品詳細ページです。

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RD10EB2
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定電圧ツェナーダイオード | ガラス封止DHD(Double Heatsink Diode)構造 | 50mW|電圧 MIN9.48~MAX9.90 Iz(mA) 20

RD10EB2 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RD10EB2
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 8 ohm
JEDEC-95 Code DO-35
JESD-30 Code O-LALF-W2
JESD-609 Code e0
Knee Impedance-Max 120 ohm
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 9.69 V
Reverse Current-Max 0.2 uA
Reverse Test Voltage 7 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount NO
Technology ZENER
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Voltage Temp Coeff-Max 5.5 mV/Cel
Voltage Tol-Max 2.17 %
Working Test Current 20 mA
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

RD10EB2のレビュー

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