R1WV6416RBG-5SI データシート Renesas

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R1WV6416RBG-5SI の詳細情報

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型番R1WV6416RBG-5SI
メーカーRENESAS
カテゴリSRAM
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 55 ns
Alternate Memory Width 8
I/O Type COMMON
JESD-30 Code R-PBGA-B48
Length 11 mm
Memory Density 67108864 bit
Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Functions 1
Number of Terminals 48
Number of Words 4194304 words
Number of Words Code 4M
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 4MX16
Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code BGA
Package Equivalence Code BGA48,6X8,30
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Supplies 3/3.3 V
Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 1.2 mm
Standby Current-Max 2.4E-5 Amp
Standby Voltage-Min 2 V
Sub Category SRAMs
Supply Current-Max 0.06 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form BALL
Terminal Pitch 0.75 mm
Terminal Position BOTTOM
Width 8.5 mm
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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