R1RW0408DGE-2LR データシート Renesas

R1RW0408DGE-2LR - RENESAS の商品詳細ページです。

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R1RW0408DGE-2LR
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R1RW0408DGE-2LR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番R1RW0408DGE-2LR
メーカーRENESAS
カテゴリSRAM
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 12 ns
I/O Type COMMON
JESD-30 Code R-PDSO-J36
Length 23.49 mm
Memory Density 4194304 bit
Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Functions 1
Number of Terminals 36
Number of Words 524288 words
Number of Words Code 512K
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 70 Cel
Operating Temperature-Min 0 Cel
Organization 512KX8
Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SOJ
Package Equivalence Code SOJ36,.44
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
Power Supplies 3.3 V
Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 3.55 mm
Standby Current-Max 0.0004 Amp
Standby Voltage-Min 2 V
Sub Category SRAMs
Supply Current-Max 0.1 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 3 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade COMMERCIAL
Terminal Form J BEND
Terminal Pitch 1.27 mm
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Width 10.16 mm
アクセス時間(ns) 12
ステータス 量産中
パッケージコード PRSJ0036DA-A(36P0K)
メモリ容量(Mbit) 4
備考 -
動作周囲温度(°C) 0 to 70
語構成(Kword) 512
語構成(bit) x 8
電源電圧(V) 3.0 to 3.6
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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