R1LV3216RSD-7SI データシート Renesas

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R1LV3216RSD-7SI の詳細情報

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型番R1LV3216RSD-7SI
メーカーRENESAS
カテゴリSRAM
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 70 ns
Alternate Memory Width 8
I/O Type COMMON
JESD-30 Code R-PDSO-G52
JESD-609 Code e6
Length 10.79 mm
Memory Density 33554432 bit
Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Functions 1
Number of Terminals 52
Number of Words 2097152 words
Number of Words Code 2M
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 2MX16
Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SOP
Package Equivalence Code TSSOP52,.4,16
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Supplies 3/3.3 V
Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 1.2 mm
Standby Current-Max 1.2E-5 Amp
Standby Voltage-Min 2 V
Sub Category SRAMs
Supply Current-Max 0.055 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.4 mm
Terminal Position DUAL
Width 8.89 mm
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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