R1LV1616RSD7SIB0 データシート Renesas

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R1LV1616RSD7SIB0 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番R1LV1616RSD7SIB0
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 70 ns
Alternate Memory Width 8
I/O Type COMMON
JESD-30 Code R-PDSO-G52
Memory Density 16777216 bit
Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 2
Number of Terminals 52
Number of Words 1048576 words
Number of Words Code 1M
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 1MX16
Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSSOP
Package Equivalence Code TSSOP52,.4,16
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Supplies 3/3.3 V
Qualification Status Not Qualified
Standby Current-Max 6.0E-6 Amp
Standby Voltage-Min 2 V
Sub Category SRAMs
Supply Current-Max 0.04 mA
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.4 mm
Terminal Position DUAL
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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