型番 | R1LV1616HBG-4SI#B0 |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Access Time-Max | 45 ns |
JESD-30 Code | R-PBGA-B48 |
Memory Density | 16777216 bit |
Memory IC Type | STANDARD SRAM |
Memory Width | 16 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Number of Functions | 1 |
Number of Terminals | 48 |
Number of Words | 1048576 words |
Number of Words Code | 1M |
Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 85 Cel |
Operating Temperature-Min | -40 Cel |
Organization | 1MX16 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | BGA |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY Meter |
Parallel/Serial | PARALLEL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3 V |
Surface Mount | YES |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
Terminal Form | BALL |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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