R1LV0816ASB-5SI データシート Renesas

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R1LV0816ASB-5SI
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R1LV0816ASB-5SI の詳細情報

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型番R1LV0816ASB-5SI
メーカーRENESAS
カテゴリSRAM
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 55 ns
I/O Type COMMON
JESD-30 Code R-PDSO-G44
Length 18.41 mm
Memory Density 8388608 bit
Memory IC Type STANDARD SRAM
Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 3
Number of Functions 1
Number of Terminals 44
Number of Words 524288 words
Number of Words Code 512K
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 512KX16
Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SOP
Package Equivalence Code TSOP44,.46,32
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Supplies 2.5/3.3 V
Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 1.2 mm
Standby Current-Max 4.0E-6 Amp
Standby Voltage-Min 1.5 V
Sub Category SRAMs
Supply Current-Max 0.035 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.4 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position DUAL
Width 10.16 mm
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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