R1EV58256BTDRBI#B0 データシート Renesas

R1EV58256BTDRBI#B0 - RENESAS の商品詳細ページです。

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R1EV58256BTDRBI#B0 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番R1EV58256BTDRBI#B0
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 120 ns
JESD-30 Code R-PDSO-G32
Length 12.4 mm
Memory Density 262144 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 3
Number of Functions 1
Number of Terminals 32
Number of Words 32768 words
Number of Words Code 32K
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 32KX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSOP1
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V
Seated Height-Max 1.2 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 5.5 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.5 mm
Terminal Position DUAL
Width 8 mm
Write Cycle Time-Max (tWC) 10 ms
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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