R1EV58064BSCRBI#B0 データシート Renesas

R1EV58064BSCRBI#B0 - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

R1EV58064BSCRBI#B0 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番R1EV58064BSCRBI#B0
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 100 ns
JESD-30 Code R-PDSO-G28
Length 18.3 mm
Memory Density 65536 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 3
Number of Functions 1
Number of Terminals 28
Number of Words 8192 words
Number of Words Code 8K
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 8KX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SOP
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V
Seated Height-Max 2.5 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 5.5 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 1.27 mm
Terminal Position DUAL
Width 8.4 mm
Write Cycle Time-Max (tWC) 10 ms
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

R1EV58064BSCRBI#B0のレビュー

R1EV58064BSCRBI#B0 のご注文について