R1EV58064BDARBI#B0 データシート Renesas

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R1EV58064BDARBI#B0 の詳細情報

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型番R1EV58064BDARBI#B0
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 100 ns
JESD-30 Code R-PDIP-T28
Length 35.6 mm
Memory Density 65536 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Functions 1
Number of Terminals 28
Number of Words 8192 words
Number of Words Code 8K
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 8KX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code DIP
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V
Seated Height-Max 5.7 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 5.5 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount NO
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Pitch 2.54 mm
Terminal Position DUAL
Width 15.24 mm
Write Cycle Time-Max (tWC) 10 ms
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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