PS8551L4 Renesas

PS8551L4 - RENESAS の商品詳細ページです。

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PS8551L4 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番PS8551L4
メーカーRENESAS
カテゴリフォト-光半導体
+IF(mA) -
-IF(mA) -
BV(kVr.m.s) 5
CTR(%)max. -
CTR(%)min. -
CTRRank -
Function Isolation Amplifier, High CMR(10kV/us), Creepage distance :8mm
G(V/V)max. 8.24
G(V/V)min. 7.76
IFHL(mA)max. -
IFLH(mA)max. -
IFatCTR(mA) -
IO(mA) -
IOL/IOH(A)peak -
Ic(mA) -
In/OutType Isolation Amplifier (Analog Output)
NL(%)max. 0.35
NL(LSB)max. -
RLatton,toff(kohm) -
RLattpHL,tpLH(kohm) -
RLattr,tf(ohm) -
Resolution(bits)min. -
Safetystandard UL, VDE(option), CSA, BSI, SEMKO, FIMKO, NEMKO, DEMKO
Targetapplication AC Servo, Inverter, Measuring instrument, Controller
VCC(V) -
VCC-VEE(V)max. -
VCC-VEE(V)min. -
VCEO[V] -
VCEatCTR(V) -
VDD(V) 5.5
VccatCTR(V) -
VoatCTR(V) -
fc(kHz)min. 50
fclk(MkHz)max. -
fclk(MkHz)min. -
tPHL(μs)max. -
tPHL/tPLH fc=50kHzMIN.
tPLH(μs)max. -
tf(μs)typ. -
toff(μs)typ. -
ton(μs)typ. -
tr(μs)typ. -
ステータス 量産中
備考 G=7.76 to 8.24V/V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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