NP80N04NHES18AY Renesas

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NP80N04NHES18AY の詳細情報

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型番NP80N04NHES18AY
メーカーRENESAS
Avalanche Energy Rating (Eas) 169 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 80 A
Drain Current-Max (ID) 80 A
Drain-source On Resistance-Max 0.008 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-262AA
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 120 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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