7時間10分後
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11月05日(火) 9:00
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型番 | NP75P03YDG-E1-AY |
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メーカー | RENESAS |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75 A |
Drain Current-Max (ID) | 75 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0096 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 700 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 138 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
NP75P03YDG-E1-AY - RENESAS の商品詳細ページです。