| 型番 | NP52N055SUG-E1-AZ |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート | ![]() |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 55 V |
| Drain Current-Max (ID) | 52 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.014 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252AA |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e6 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 170 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN BISMUTH |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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