NP52N055SUG-E1-AZ データシート Renesas

NP52N055SUG-E1-AZ - RENESAS の商品詳細ページです。

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NP52N055SUG-E1-AZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NP52N055SUG-E1-AZ
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V
Drain Current-Max (ID) 52 A
Drain-source On Resistance-Max 0.014 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e6
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 170 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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