6時間44分後
以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00
までに見積もり回答いたします。
型番 | NP52N055SUG-E1-AZ |
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メーカー | RENESAS |
データシート | |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 55 V |
Drain Current-Max (ID) | 52 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.014 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 170 A |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN BISMUTH |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
NP52N055SUG-E1-AZ - RENESAS の商品詳細ページです。