NP50P06KDG データシート Renesas

NP50P06KDG - RENESAS の商品詳細ページです。

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NP50P06KDG
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NP50P06KDG の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NP50P06KDG
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Automotive Use
Automotive YES
Avalanche Energy Rating (Eas) 106 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF)typ. 5000
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50 A
Drain Current-Max (ID) 50 A
Drain-source On Resistance-Max 0.023 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -50
JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
MountingType Surface Mount
Nch/Pch Pch
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pch(W) 90
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 90 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 150 A
QG(nC)typ. 95
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 17
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] 23
SeriesName NP Series
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. -60
VGSS(V) 20
Vgs(off)(V)max. -2.5
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ SPICE
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0004AK-A(P3J9-254-523)
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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