NNCD3.3G - RENESAS の商品詳細ページです。

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NNCD3.3G の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NNCD3.3G
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 3.5 V
Breakdown Voltage-Min 3.1 V
Breakdown Voltage-Nom 3.3 V
Configuration COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-G5
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 85 W
Number of Elements 4
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Transient Suppressors
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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