NNCD3.3B - RENESAS の商品詳細ページです。

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NNCD3.3B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NNCD3.3B
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 3.53 V
Breakdown Voltage-Min 3.16 V
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95 Code DO-35
JESD-30 Code O-LALF-W2
JESD-609 Code e0
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 100 W
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Technology AVALANCHE
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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