型番 | NNCD12B |
---|---|
メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Breakdown Voltage-Max | 12.3 V |
Breakdown Voltage-Min | 11.13 V |
Case Connection | ISOLATED |
Configuration | SINGLE |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95 Code | DO-35 |
JESD-30 Code | O-LALF-W2 |
JESD-609 Code | e0 |
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 100 W |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Package Body Material | GLASS |
Package Shape | ROUND |
Package Style | LONG FORM Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity | UNIDIRECTIONAL |
Power Dissipation-Max | 0.5 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO |
Technology | AVALANCHE |
Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | WIRE |
Terminal Position | AXIAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
---|---|
設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
NNCD12B - RENESAS の商品詳細ページです。