NNCD10E - RENESAS の商品詳細ページです。

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NNCD10E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NNCD10E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Max 10.55 V
Breakdown Voltage-Min 9.45 V
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max 100 W
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Technology AVALANCHE
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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