型番 | NNCD10D-T1-A |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Breakdown Voltage-Max | 10.58 V |
Breakdown Voltage-Min | 9.42 V |
Breakdown Voltage-Nom | 10 V |
Configuration | SINGLE |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 Code | R-PDSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 85 W |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 |
Polarity | UNIDIRECTIONAL |
Power Dissipation-Max | 0.2 W |
Sub Category | Transient Suppressors |
Surface Mount | YES |
Technology | AVALANCHE |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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