| 型番 | NNCD10C |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート | ![]() |
| Breakdown Voltage-Max | 10.58 V |
| Breakdown Voltage-Min | 9.42 V |
| Breakdown Voltage-Nom | 10 V |
| Configuration | SINGLE |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G2 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Non-rep Peak Rev Power Dis-Max | 85 W |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity | UNIDIRECTIONAL |
| Power Dissipation-Max | 0.15 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Transient Suppressors |
| Surface Mount | YES |
| Technology | AVALANCHE |
| Terminal Finish | TIN BISMUTH |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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