NESG240033-T1B-A データシート Renesas

NESG240033-T1B-A - RENESAS の商品詳細ページです。

1

175時間18分後 以内に見積もり依頼を頂ければ、
05月08日(水) 9:00 までに見積もり回答いたします。

NESG240033-T1B-A の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NESG240033-T1B-A
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.4 A
Collector-base Capacitance-Max 1.1 pF
Collector-emitter Voltage-Max 5.5 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 140
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e6
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.48 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP RF Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 10500 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

NESG240033-T1B-Aのレビュー

NESG240033-T1B-A のご注文について