型番 | NESG240033-T1B-A |
---|---|
メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 0.4 A |
Collector-base Capacitance-Max | 1.1 pF |
Collector-emitter Voltage-Max | 5.5 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 140 |
Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.48 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | BIP RF Small Signal |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 10500 MHz |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
---|---|
設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
NESG240033-T1B-A - RENESAS の商品詳細ページです。