NE5820M53 Renesas

NE5820M53 - RENESAS の商品詳細ページです。

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NE5820M53 の詳細情報

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型番NE5820M53
メーカーRENESAS
カテゴリRF
Application VLF
CG(dB) -
CircuitCurrent(mA) -
Ciss(pF)typ. 1.5
Cob(pF)max. -
Device type MOSFET
Divideratio -
Frequency(MHz)max. -
Frequency(MHz)min. -
Function MOSFET(Low Frequency Use)
GCR(dB) -
GL(dB) -
GMAX(dB) -
Ga(dB)typ. -
Gp(dB) -
Grouping Low Frequency
Gv(dB) -3
IDD(mA) 0.105
IDSS(mA)max. -
IDSS(mA)min. -
ID[A] -
IM3(dBc) -
ISL D/U(dB) -
ISL(dB) -
Ic(A) -
Ic2(A) -
Lins(dB) -
NF(dB)typ. -
NF2(dB)typ. -
NPN/PNP -
Nch/Pch Pch
Nv(dB) -114
OIP3(dBm) -
Pc(W) -
Pch(W) -
Pin at Pout(mW) -
Pin(0.1dB) -
Pin1dB(dBm) -
Posat(dBm) -
Pout (W)typ. -
Switch type -
Targetapplication ECM
VCE(sat)(V) -
VCEO2(V) -
VCEO[V] -
VDD at Pout(V) -
VDD(V) 10
VDS(V)max. -
VDSS(V) max. -
VDS[V] -
Vo(Vp-p) -
Voltage(V)max. -
Voltage(V)min. -
Voltage(V)typ. -
f at CG(MHz) -
f at GCR(MHz) -
f at GL(MHz) -
f at GMAX(MHz) -
f at Ga(GHz) -
f at Gp(GHz) -
f at IIP3(MHz) -
f at ISL D/U(GHz) -
f at ISL(GHz) -
f at Lins(GHz) -
f at NF(GHz) -
f at NF(MHz) -
f at NV(MHz) 0.001
f at OIP3(MHz) -
f at Pin(GHz) -
f at Pin1dB(GHz) -
f at Po(MHz) -
f at Posat(GHz) -
f at Pout(GHz) -
f at Pout(MHz) -
fT(GHz)typ. -
fT2(GHz)typ. -
hFEmax. -
hFEmin. -
|yfs|(S)typ. -
ステータス 量産中
備考 -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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