NE5510279A-T1-A データシート Renesas

NE5510279A-T1-A - RENESAS の商品詳細ページです。

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NE5510279A-T1-A の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番NE5510279A-T1-A
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 8 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1 A
Drain Current-Max (ID) 1 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band L BAND
JESD-30 Code R-XQMW-F4
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style MICROWAVE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form FLAT
Terminal Position QUAD
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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