NE3210S01 データシート Renesas

NE3210S01 - RENESAS の商品詳細ページです。

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NE3210S01 の詳細情報

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型番NE3210S01
メーカーRENESAS
カテゴリRF
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Application X to Ku-Band
CG(dB) -
Case Connection SOURCE
CircuitCurrent(mA) -
Ciss(pF)typ. -
Cob(pF)max. -
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 3 V
Device type GaAs FET
Divideratio -
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.07 A
Drain Current-Max (ID) 0.015 A
FET Technology HETERO-JUNCTION
Frequency(MHz)max. -
Frequency(MHz)min. -
Function LNA,HJ-FET
GCR(dB) -
GL(dB) -
GMAX(dB) -
Ga(dB)typ. 13.5
Gp(dB) -
Grouping Low Noise
Gv(dB) -
Highest Frequency Band KU BAND
IDD(mA) -
IDSS(mA)max. 70
IDSS(mA)min. 15
ID[A] -
IM3(dBc) -
ISL D/U(dB) -
ISL(dB) -
Ic(A) -
Ic2(A) -
JESD-30 Code O-PRDB-G4
JESD-609 Code e0
Lins(dB) -
NF(dB)typ. 0.35
NF2(dB)typ. -
NPN/PNP -
Nch/Pch Nch
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Nv(dB) -
OIP3(dBm) -
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style DISK BUTTON Meter
Pc(W) -
Pch(W) -
Peak Reflow Temperature (Cel) 230
Pin at Pout(mW) -
Pin(0.1dB) -
Pin1dB(dBm) -
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Posat(dBm) -
Pout (W)typ. -
Power Dissipation Ambient-Max 0.165 W
Power Gain-Min (Gp) 12 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET RF Small Signal
Surface Mount YES
Switch type -
Targetapplication BS/CS LNB
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position RADIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE
VCE(sat)(V) -
VCEO2(V) -
VCEO[V] -
VDD at Pout(V) -
VDD(V) -
VDS(V)max. -
VDSS(V) max. -
VDS[V] 4
Vo(Vp-p) -
Voltage(V)max. -
Voltage(V)min. -
Voltage(V)typ. -
f at CG(MHz) -
f at GCR(MHz) -
f at GL(MHz) -
f at GMAX(MHz) -
f at Ga(GHz) 12
f at Gp(GHz) -
f at IIP3(MHz) -
f at ISL D/U(GHz) -
f at ISL(GHz) -
f at Lins(GHz) -
f at NF(GHz) 12
f at NF(MHz) -
f at NV(MHz) -
f at OIP3(MHz) -
f at Pin(GHz) -
f at Pin1dB(GHz) -
f at Po(MHz) -
f at Posat(GHz) -
f at Pout(GHz) -
f at Pout(MHz) -
fT(GHz)typ. -
fT2(GHz)typ. -
hFEmax. -
hFEmin. -
|yfs|(S)typ. -
ステータス 量産中
備考 -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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