型番 | N0301N-T1-AT |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.5 A |
Drain Current-Max (ID) | 4.5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.13 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.3 W |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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