HZU3.9B2TRF-E データシート Renesas

HZU3.9B2TRF-E - RENESAS の商品詳細ページです。

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HZU3.9B2TRF-E
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HZU3.9B2TRF-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HZU3.9B2TRF-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 130 ohm
JESD-30 Code R-PDSO-G2
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 3.99 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount YES
Technology ZENER
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Voltage Tol-Max 2.89 %
Working Test Current 5 mA
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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