HZS36NB4 - RENESAS の商品詳細ページです。

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HZS36NB4 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HZS36NB4
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 75 ohm
JEDEC-95 Code DO-34
JESD-30 Code O-LALF-W2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 200 Cel
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.4 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Voltage-Nom 34.89 V
Reverse Current-Max 0.2 uA
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount NO
Technology ZENER
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
Voltage Tol-Max 2.52 %
Working Test Current 5 mA
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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