HZK11B - RENESAS の商品詳細ページです。

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HZK11B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HZK11B
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type ZENER DIODE
Dynamic Impedance-Max 25 ohm
JESD-30 Code O-LELF-R2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material GLASS
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max 0.4 W
Qualification Status Not Qualified
Reference Standard TS 16949
Reference Voltage-Nom 10.4 V
Reverse Current-Max 1 uA
Reverse Test Voltage 7.5 V
Sub Category Voltage Reference Diodes
Surface Mount YES
Technology ZENER
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form WRAP AROUND
Terminal Position END
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Voltage Tol-Max 1.83 %
Working Test Current 0.5 mA
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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