HVU316TRU データシート Renesas

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HVU316TRU の詳細情報

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型番HVU316TRU
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Min 30 V
Configuration SINGLE
Diode Capacitance Ratio-Min 9
Diode Element Material SILICON
Diode Type VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-G2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Reverse Current-Max 0.01 uA
Reverse Test Voltage 30 V
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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