HSC277TRF-E データシート Renesas

HSC277TRF-E - RENESAS の商品詳細ページです。

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HSC277TRF-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HSC277TRF-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 1.2 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type MIXER DIODE
Forward Voltage-Max (VF) 1 V
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 60 Cel
Operating Temperature-Min -20 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Power Dissipation-Max 0.15 W
Reverse Current-Max 0.05 uA
Reverse Test Voltage 25 V
Surface Mount YES
Technology PLANAR DOPED BARRIER
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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