HSB83YP - RENESAS の商品詳細ページです。

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HSB83YP の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HSB83YP
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE
Forward Voltage-Max (VF) 1.2 V
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 125 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Output Current-Max 0.1 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 300 V
Reverse Current-Max 100 uA
Reverse Recovery Time-Max 0.1 us
Reverse Test Voltage 300 V
Sub Category Other Diodes
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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