HD2F3P
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HD2F3P の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | HD2F3P |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| カテゴリ | その他-トランジスタ |
| データシート |  |
| (FET-1/FET-2)Ciss(pF)typ. | - |
| (FET-1/FET-2)NF(dB)typ. | - |
| (FET-1/FET-2)|yfs|(mS)typ. | - |
| Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5455 |
| Application | - |
| Automotive | YES |
| Case Connection | COLLECTOR |
| Category | - |
| Ciss(pF)typ. | - |
| Cob(pF)max. | - |
| Cob(pF)typ. | - |
| Collector Current-Max (IC) | 1 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 200 |
| EquivalentCircuit | C |
| FRDVf(V) | - |
| FRDtrr(ns) | - |
| Feature | - |
| Function | - |
| GateDrive | - |
| IC(A)@100°C | - |
| IC(A)@25°C | - |
| ID(A) | - |
| ID(mA) | - |
| IDSS(µA)max. | - |
| IDSS(µA)min. | - |
| IDSS(mA) | - |
| Ic(Peak)(A) | - |
| Ic(mA) | 1000 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| MountingType | - |
| NF(dB)typ. | - |
| NPN/PNP | - |
| Nch/Pch | - |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| NumberofCircuits | - |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| PG(dB)typ. | - |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Pc(W) | - |
| Pch(W) | - |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation Ambient-Max | 2 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
| Pt(mW) | 2000 |
| QG(nC)typ. | - |
| Qualification Status | Not Qualified |
| R1(kOhm) | 2.2 |
| R2(kOhm) | 10 |
| RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | - |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
| RDS(ON)(ohm)typ.@10V/8V | - |
| RDS(ON)(ohm)[email protected]/1.8V | - |
| RDS(ON)(ohm)typ.@4V/4.5V | - |
| SeriesName | - |
| Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
| Surface Mount | YES |
| SurgeAbsorberDiode | - |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Tsd(°C)typ. | - |
| VCE(sat)(V)max. | - |
| VCEO(V) | 60 |
| VCES(V) | - |
| VDS(V) | - |
| VDSS(V) | - |
| VDSS(V)max. | - |
| VDSX(V) | - |
| VGSS(V) | - |
| Vcbo(V) | 60 |
| Vce(sat)(V) | - |
| Vebo(V) | 10 |
| Vgs(off)(V)max. | - |
| Webシミュレーション | - |
| fT(GHz)typ. | - |
| fT(MHz)typ. | - |
| fatNF(GHz) | - |
| hFE | - |
| hFEmax. | - |
| hFEmin. | - |
| hfe1max. | - |
| hfe1min. | 200 |
| hfe1typ. | - |
| hfe2min. | 300 |
| hfe2typ. | - |
| tf(μs)typ. | - |
| toff(μs)typ. | - |
| tsc(μs) | - |
| |yfs|(S)typ. | - |
| シミュレーションデータ | - |
| ステータス | In Mass Production |
| パッケージコード | PLZZ0004CC-A(P3C4-150-212) |
| 構成 | - |
| 構成[素子] | - |
| 発注制約 | - |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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