HD1L3N-T2 データシート Renesas

HD1L3N-T2 - RENESAS の商品詳細ページです。

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HD1L3N-T2 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HD1L3N-T2
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1277
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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