HD1A3M-T1 データシート Renesas

HD1A3M-T1 - RENESAS の商品詳細ページです。

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HD1A3M-T1
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HD1A3M-T1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HD1A3M-T1
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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