HAT1126RJ-EL-E データシート Renesas

HAT1126RJ-EL-E - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

HAT1126RJ-EL-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAT1126RJ-EL-E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6 A
Drain Current-Max (ID) 6 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

HAT1126RJ-EL-Eのレビュー

HAT1126RJ-EL-E のご注文について