型番 | HAT1126R |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | スイッチ-その他IC |
データシート | ![]() |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Application | Low Voltage General Switching |
Automotive | - |
Ciss(pF)typ. | 2300 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6 A |
Drain Current-Max (ID) | 6 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.085 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | -6 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
MountingType | Surface Mount |
Nch/Pch | Pch |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pch(W) | 2 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 48 A |
QG(nC)typ. | 37 |
Qualification Status | Not Qualified |
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | 50 |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | 85 |
SeriesName | - |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V)max. | -60 |
VGSS(V) | 20 |
Vgs(off)(V)max. | -2.5 |
Webシミュレーション | - |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | PRSP0008DD-D(FP-8DAV) |
構成 | Dual |
構成[素子] | - |
発注制約 | Large order only |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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