HAT1069C-EL--E データシート Renesas

HAT1069C-EL--E - RENESAS の商品詳細ページです。

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HAT1069C-EL--E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAT1069C-EL--E
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4 A
Drain Current-Max (ID) 4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.093 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F6
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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