HAT1069C - RENESAS の商品詳細ページです。

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HAT1069C の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAT1069C
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Low Voltage General Switching
Automotive -
Ciss(pF)typ. 1380
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4 A
Drain Current-Max (ID) 4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.093 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -4
JESD-30 Code R-PDSO-F6
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
MountingType Surface Mount
Nch/Pch Pch
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pch(W) 0.9
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
QG(nC)typ. 16
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V -
RDS(ON)(mohm)[email protected] 70
RDS(ON)(mohm)[email protected] 52
SeriesName -
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. -12
VGSS(V) 8
Vgs(off)(V)max. -1.2
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PWSF0006JA-A(CMFPAK-6)
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 Large order only
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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