HAT1016R - RENESAS の商品詳細ページです。

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HAT1016R の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAT1016R
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Low Voltage General Switching
Automotive -
Ciss(pF)typ. 660
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.5 A
Drain Current-Max (ID) 4.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.18 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -4.5
JEDEC-95 Code MS-012AA
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
MountingType Surface Mount
Nch/Pch Pch
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pch(W) 2
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 3 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 36 A
QG(nC)typ. -
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 90
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] 180
SeriesName -
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. -30
VGSS(V) 20
Vgs(off)(V)max. -2.5
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PRSP0008DD-D(FP-8DAV)
構成 Dual
構成[素子] -
発注制約 Large order only
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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