HAF2002 Renesas

HAF2002 - RENESAS の商品詳細ページです。

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HAF2002 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAF2002
メーカーRENESAS
カテゴリその他-汎用IC
Additional Feature BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Automotive -
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.065 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 20
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level 1
Nch/Pch Nch
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Pch(W). 30
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40 A
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)[email protected] 65
RDS(ON)(mohm)max.@8Vto10V 43
RDS(ON)(ohm)[email protected] 50
RDS(ON)(ohm)typ.@8Vto10V 30
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Tsd(°C)typ. 175
VDSS(V) 60
Webシミュレーション -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0003AD-A(TO-220FMV)
構造 Single
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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