型番 | HAF1004S |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | その他-汎用IC |
データシート | ![]() |
Additional Feature | BUILT-IN THE OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT |
Automotive | - |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5 A |
Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.34 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | -5 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Nch/Pch | Pch |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pch(W). | 20 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 20 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10 A |
Qualification Status | Not Qualified |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | 340 |
RDS(ON)(mohm)max.@8Vto10V | 200 |
RDS(ON)(ohm)[email protected] | 200 |
RDS(ON)(ohm)typ.@8Vto10V | 140 |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Tsd(°C)typ. | 175 |
VDSS(V) | -60 |
Webシミュレーション | - |
ステータス | In Mass Production |
パッケージコード | PRSS0004ZD-C(DPAK(S)) |
構造 | Single |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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