HAF1004S - RENESAS の商品詳細ページです。

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HAF1004S の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HAF1004S
メーカーRENESAS
カテゴリその他-汎用IC
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN THE OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT
Automotive -
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.34 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -5
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Nch/Pch Pch
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pch(W). 20
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10 A
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)[email protected] 340
RDS(ON)(mohm)max.@8Vto10V 200
RDS(ON)(ohm)[email protected] 200
RDS(ON)(ohm)typ.@8Vto10V 140
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Tsd(°C)typ. 175
VDSS(V) -60
Webシミュレーション -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0004ZD-C(DPAK(S))
構造 Single
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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