H7P0601DL データシート Renesas

H7P0601DL - RENESAS の商品詳細ページです。

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H7P0601DL の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番H7P0601DL
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Low Voltage General Switching
Automotive -
Case Connection DRAIN
Ciss(pF)typ. 2200
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.085 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -20
JESD-30 Code R-PSIP-T3
MountingType Through Hole
Nch/Pch Pch
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Pch(W) 25
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80 A
QG(nC)typ. 37
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 50
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] 85
SeriesName -
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. -60
VGSS(V) 20
Vgs(off)(V)max. -2.5
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0004ZD-B(DPAK(L)-(2))
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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