H7N1004DL データシート

Name: H7N1004DL
Brand: RENESAS
SKU: 180147573-0000-0000-0000

H7N1004DL - RENESAS の商品詳細ページです。

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H7N1004DL の詳細情報

型番	H7N1004DL
メーカー	RENESAS
カテゴリ	スイッチ-その他IC
データシート
Application	Low Voltage General Switching
Automotive	-
Ciss(pF)typ.	2800
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	25 A
Drain Current-Max (ID)	25 A
Drain-source On Resistance-Max	0.045 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	25
JESD-30 Code	R-PSIP-T3
JESD-609 Code	e6
Moisture Sensitivity Level	1
MountingType	Through Hole
Nch/Pch	Nch
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	IN-LINE Meter
Pch(W)	30
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	75 A
QG(nC)typ.	50
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V	35
RDS(ON)(mohm)[email protected]	-
RDS(ON)(mohm)[email protected]	45
SeriesName	-
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	NO
Terminal Finish	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)max.	100
VGSS(V)	20
Vgs(off)(V)max.	2.5
Webシミュレーション	-
シミュレーションデータ	-
ステータス	量産中
パッケージコード	PRSS0004ZD-B(DPAK(L)-(2))
構成	Single
構成[素子]	-
発注制約	-