H7N1002LD データシート

Name: H7N1002LD
Brand: RENESAS
SKU: 180147593-0000-0000-0000

H7N1002LD - RENESAS の商品詳細ページです。

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H7N1002LD の詳細情報

型番	H7N1002LD
メーカー	RENESAS
カテゴリ	スイッチ-その他IC
データシート
Application	Low Voltage General Switching
Automotive	-
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)typ.	9700
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	75 A
Drain Current-Max (ID)	75 A
Drain-source On Resistance-Max	0.015 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	75
JESD-30 Code	R-PSIP-T3
JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1
MountingType	Through Hole
Nch/Pch	Nch
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	IN-LINE Meter
Pch(W)	100
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	300 A
QG(nC)typ.	155
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V	10
RDS(ON)(mohm)max.@2.5Vor1.8V	-
RDS(ON)(mohm)max.@4Vor4.5V	15
SeriesName	-
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)max.	100
VGSS(V)	20
Vgs(off)(V)max.	2.5
Webシミュレーション	-
シミュレーションデータ	-
ステータス	量産中
パッケージコード	PRSS0004AE-A(LDPAK(L))
構成	Single
構成[素子]	-
発注制約	-