H7N0603DS-E データシート

Name: H7N0603DS-E
Brand: RENESAS
SKU: 180137065-0000-0000-0000

H7N0603DS-E - RENESAS の商品詳細ページです。

14時間7分後以内に見積もり依頼を頂ければ、
05月27日(月) 9:00 までに見積もり回答いたします。

検討リストに追加する

H7N0603DS-E の詳細情報

型番	H7N0603DS-E
メーカー	RENESAS
データシート
Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	30 A
Drain-source On Resistance-Max	0.022 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e6
Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1
Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	120 A
Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	20
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON